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平面毒性 CO 气体传感器
更新时间:2025-10-09
平面毒性 CO 气体传感器K2 型一氧化碳检测用平面半导体气敏元件采用优良的平面厚膜生产工艺,由加热器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金属氧化物半导体材料构成,用电极引线引出,封装在金属管座、管帽内。采用高低温循环检测方式检测一氧化(1.5V),高温(5.0V)时清洗低温时吸附的杂质气体。
K2平面毒性 CO 气体传感器的详细资料
平面毒性 CO 气体传感器概述
K2 型一氧化碳检测用平面半导体气敏元件采用优良的平面厚膜生产 工艺,由加热器以及微型 Al2O3陶瓷基片上形成的金属氧化物半导体材料构 成,用电极引线引出,封装在金属管座、管帽内。采用高低温循环检测方式检 测一氧化碳(1.5V),高温(5.0V)时清洗低温时吸附的杂质气体。传感器 的电导率随空气中一氧化碳气体浓度增加而增大,使用简单的电路即可将电 导率的变化转换为与该气体浓度相对应的输出信号。
平面毒性 CO 气体传感器特点
低功耗
寿命长
成本低
体积小
应用电路简单
主要应用
家用一氧化碳泄漏检测
工业一氧化碳报警器
便携式一氧化碳检测
规格参数
基本电路
外形尺寸
注意事项
1 必须避免的情况
1.1 暴露于有机硅蒸气中 如果传感器的表面吸附了有机硅蒸气,传感器的敏感材料会被包裹住,抑制传感器的敏 感性,并且不可恢复。传感器要避免暴露其在硅粘接剂、发胶、硅橡胶、腻子或其它含硅塑 料添加剂可能存在 的地方。
1.2 高腐蚀性的环境 传感器暴露在高浓度的腐蚀性气体(如 H2S,SOX,Cl2,HCl 等)中,不仅会引起加热材 料及传感器引线的腐蚀或破坏,并会引起敏感材料性能发生不可逆的改变。
1.3 碱、碱金属盐、卤素的污染 传感器被碱金属尤其是盐水喷雾污染后,及暴露在卤素如氟中也会引起性能劣变。
1.4 接触到水 溅上水或浸到水中会造成敏感特性下降。
1.5 结冰 水在敏感元件表面结冰会导致敏感材料碎裂而丧失敏感特性。
1.6 施加电压过高 如果给敏感元件或加热器施加的电压高于规定值,即使传感器没有受到物理损坏或破 坏,也会造成引线和/或加热器损坏,并引起传感器敏感特性下降。
深圳市鸿瑞泰电子有限公司专业提供K2平面毒性 CO 气体传感器等产品信息,欢迎来电咨询!
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